【香港中通社十二月二十四日電】十二月二十四日，據晶盛機電官微消息，日前，全球首款三百毫米（十二英寸）碳化矽外延晶片在中國成功開發並實現技術首發，這一進展有望為中國第三代半導體產業規模化、低成本應用奠定關鍵基礎。

　碳化矽是第三代半導體核心材料，相較於傳統矽材料，在耐高壓、耐高溫和高頻性能上優勢顯著。此次突破的十二英寸碳化矽外延晶片由瀚天天成電子科技（廈門）股份有限公司研發，其直徑較當前主流的六英寸產品大幅提升。

　技術數據顯示，單片十二英寸碳化矽外延晶片可承載的芯片數量是六英寸產品的四點四倍，是八英寸產品的二點三倍。這意味著在相同生產工序下，單片可承載芯片（器件）數量進一步擴容，從而可降低下游功率器件製造成本，加速其在新能源汽車、光伏發電、智能電網、軌道交通及航空航天等領域的規模化、低成本應用。

　第三代半導體碳化矽比第一代矽半導體擁有更優的高頻、高壓、高溫能力。這一突破不僅能顯著提高下游功率器件的生產效率，更將大幅降低碳化矽芯片的單位製造成本，為碳化矽產業規模化、低成本應用奠定關鍵基礎。◇